杂散电容
简介
寄生电容（parasitic capacitance），也称为杂散电容，是电路中电子元件之间或电路模块之间，由于相互靠近所形成的电容，寄生电容是寄生元件，多半是不可避免的，同时经常是设计时不希望得到的电容特性。寄生电容常常也会造成杂散振荡。
在现实中，所有的电路元件，例如电感元件、二极管和晶体管都具有内部电容，这些电容将使器件的性能与理想情况有所不同。此外，在任意两段导体之间均有非零的电容，这种电容在高频情况中体现得尤为突出，因此在印制电路板设计中必须予以考虑。
功率MOSFET（Power MOSFET）的寄生电容可以很大，直接利用微控制器的输出来控制，可能会令微控制器受损。MOSFET及IGBT驱动器就是用来解决寄生电容的问题，其输出电流亦较大。
| 中文名 | 杂散电容 |
|---|---|
| 原始名称 | 杂散电容 |
| 外文名 | parasitic capacitance |
| 精选上位词 | 科学百科工程技术分类 |
| 绰号 | 寄生电容 |
| 英文名 | parasitic capacitance |
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