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磁敏电阻是一种对磁敏感、具有磁阻效应的电阻元件。物质在磁场中电阻发生变化的现象称为磁阻效应。磁敏电阻通常用锑化铟(InSb)或砷化铟(InAs)等对磁具有敏感性的半导体材料制成。半导体材料的磁阻效应包括物理磁阻效应和几何磁阻效应,其中物理磁阻效应又称为磁电阻率效应。
当外加磁场的方向或强度发生变化时,磁敏电阻的阻值相应改变,利用该变化,可精确地测试出磁场的相对位移。例如,在一个长方形半导体InSb片中,沿长度方向有电流通过时,若在垂直于电流片的宽度方向上施加一个磁场,半导体InSb片长度方向上就会发生电阻率增大的现象。
中文名 | 磁敏电阻 |
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原始名称 | 磁敏电阻 |
原理 | 利用半导体的磁阻效应制造 |
外文名 | magnetoresistor |
材料 | insb 或 inas |
英文名 | magnetoresistor |