抑制性突触后电位

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简介

抑制性突触后电位(inhibitory postsynaptic potential, ipsp)是突触前膜释放抑制性递质(抑制性中间神经元释放的递质),导致突触后膜主要对cl通透性增加,cl内流产生局部超极化电位。突触后膜在递质作用下发生超极化,使该突触后神经元的兴奋下降,这种电位变化称为抑制性突触后电位(ipsp)。其产生机制为抑制性递质作用于突触后膜,使盾膜上的配体门控ci 通道开放,引起ci 内流,突触后膜发生超极化。